Моя заявка (0)

DDTD142JC-7-F,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm

DDTD142JC-7-F,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 470 ohm, 10 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046336136
Артикул
DDTD142JC-7-F
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
0.001
Длина
3.05 mm
Серия
DDTD142
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 0.47K 10K

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.001
Длина3.05 mm
СерияDDTD142
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Input Resistor470 Ω
Typical Resistor Ratio0.047
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Maximum DC Collector Current500 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Типичное входное сопротивление470 Ohms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Типичный коэффициент деления резистора0.047
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)56
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация