Моя заявка (0)

DDTD113EC-7-F,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm

DDTD113EC-7-F,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017678500
Артикул
DDTD113EC-7-F
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.001
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

33 при 50 мА, 5 В 1 NPN - предварительно смещенный 200 МВт, 500 мА, 50 В 500 на цифровыx транзистораx SOT-23-3 ROHS

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.001
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type1 NPN-Pre Biased
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Collector Current (Ic)500mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)200mW
Typical Input Resistor:1 kOhms
Typical Resistor Ratio:1
Transition Frequency (fT)200MHz
Peak DC Collector Current:500 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)33@50mA, 5V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:33
Collector Cut-Off Current (Icbo)500nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@50mA, 2.5mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация