Моя заявка (0)

Diodes Inc DDTC143ZCA-7-F NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

Diodes Inc DDTC143ZCA-7-F NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014488599
Артикул
DDTC143ZCA-7-F
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.95
RoHS
Details
Type
NPN
Brand
Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Оснащенные резисторами биполярные транзисторы, также известные как “Цифровые транзисторы” или “Транзисторы с сопротивлением смещения”, включают в себя один или два встроенныx резистора.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
RoHSDetails
TypeNPN
BrandDiodes Incorporated
Width1.4 mm
Height1 mm
Length3.05 mm
SeriesDDTC143
ТипNPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.0363
Длина3.05 mm
СерияDDTC143
Lead FinishMatte Tin
PCB changed3
Part StatusActive
ManufacturerDiodes Incorporated
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.3
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Package Height0.98
Package Length2.9
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-Pre-Biased
Supplier PackageSOT-23
Max Processing Temp260
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Operating Temperature-55 to 150 °C
Standard Package NameSOT-23
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation0.2 W
Typical Input Resistor4.7 kΩ
Typical Resistor Ratio0.1
DC Current Gain hFE Max80
Minimum DC Current Gain80@10mA@5V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Peak DC Collector Current100 mA
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current0.1 A
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 C
Typical Input Resistor (kOhm)4.7
DC Collector/Base Gain hfe Min80
Maximum Power Dissipation (mW)200
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)250
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Полярность транзистораNPN
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление4.7 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Типичный коэффициент деления резистора0.1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80

Техническая документация