DDTA114ECA-7-F, 30@5mA,5V One PNP - Pre-BIased 200mW 100mA 50V SOT-23-3 DIgItal TransIstors ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075265983
- Артикул
- DDTA114ECA-7-F
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Тип
- PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 9 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Тип | PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | DDTA114 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 30 5mA 5V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Supplier Temperature Grade | Commercial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 250 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |