Моя заявка (0)

DDTA113ZCA-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23, R1: 1кОм

DDTA113ZCA-7-F, Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23, R1: 1кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023467568
Артикул
DDTA113ZCA-7-F
Бренд
DIODES INC.
Тип
PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Вес, г
0.02
Длина
3.05 mm
Серия
DDTA113
Цена по запросу
(от 12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23, R1: 1кОм

Технические параметры

ТипPNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Вес, г0.02
Длина3.05 mm
СерияDDTA113
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)0.3 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление1 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора0.1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.33
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)33

Техническая документация