Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005073796
Артикул
DDB6U75N16W1R
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
IGBT Silicon Modules
Packaging:
Tray
Вес, г
40
Цена по запросу
(от 6 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:IGBT Silicon Modules
Packaging:Tray
Вес, г40
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:Infineon
Product Type:IGBT Modules
Configuration:3-Phase Inverter
Part # Aliases:SP000546200 DDB6U75N16W1RBOMA1
Product Category:IGBT Modules
Factory Pack Quantity:24
Pd - Power Dissipation:335 W
Gate-Emitter Leakage Current:100 nA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.85 V
Continuous Collector Current at 25 C:50 A

Техническая документация