Моя заявка (0)

DCX114EU-7-F, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R

DCX114EU-7-F, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001115912
Артикул
DCX114EU-7-F
Бренд
DIODES INC.
Тип
Complementary NPN/PNP Pre-Biased Small Signal SOT-
Вес, г
1
Длина
2.2 mm
Серия
DCX114
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 4300 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT, комплементарная пара, 50В

Технические параметры

ТипComplementary NPN/PNP Pre-Biased Small Signal SOT-
Вес, г1
Длина2.2 mm
СерияDCX114
Высота1 mm
КорпусSOT-363
Ширина1.35 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-363-6
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100

Техническая документация