D45H8G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 10А, 70Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023130635
- Артикул
- D45H8G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 2.8
- Длина
- 10.53 mm
- Серия
- D45H8
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 10А, 70Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.8 |
| Длина | 10.53 mm |
| Серия | D45H8 |
| Package Type | TO-220AB |
| Высота | 15.75 mm |
| Корпус | TO220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Type | PNP |
| Упаковка | Tube |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Maximum Operating Frequency | 40 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum DC Collector Current | -10 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 70 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |