Моя заявка (0)

D45H11G, 80V 2W 40@4A,1V 10A PNP TO-220 BIpolar TransIstors - BJT

D45H11G, 80V 2W 40@4A,1V 10A PNP TO-220 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059285583
Артикул
D45H11G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
2.16
Package Type
TO-220AB
Корпус
TO-220
Цена по запросу
(от 130,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2.16
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
Структураpnp
Collector Current (Ic)10A
Power Dissipation (Pd)2W
Minimum DC Current Gain40
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Transition Frequency (fT)40MHz
Maximum Operating Frequency40 MHz
Number of Elements per Chip1
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)40@4A, 1V
Maximum DC Collector Current-10 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Collector Cut-Off Current (Icbo)10uA
Maximum Collector Emitter Voltage-80 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)80V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1V@8A, 400mA

Техническая документация