Моя заявка (0)

D44H11G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 10А, 70Вт, TO220-3

D44H11G, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 10А, 70Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062580977
Артикул
D44H11G
Бренд
ON Semiconductor***
Category
Bipolar Power
Mounting
Through Hole
Frequency
50(MHz)
Packaging
Rail/Tube
Цена по запросу
(от 190,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 10А, 70Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

CategoryBipolar Power
MountingThrough Hole
Frequency50(MHz)
PackagingRail/Tube
Pin Count3
Вес, г2.16
Output PowerNot Required(W)
Package TypeTO-220AB
Rad HardenedNo
КорпусTO220-3
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
DC Current Gain60
Transistor TypeNPN
Power Dissipation2(W)
Number of Elements1
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (DC)10(A)
Collector Current (Ic)8A
Power Dissipation (Pd)1.75W
Minimum DC Current Gain40
Transistor ConfigurationSingle
Collector-Emitter Voltage80(V)
Maximum Power Dissipation2 W
Transition Frequency (fT)85MHz
Maximum Operating Frequency50 MHz
Number of Elements per Chip1
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)40@4A, 1V
Maximum DC Collector Current10 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Collector Cut-Off Current (Icbo)1uA
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Operating Temperature ClassificationMilitary
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)80V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1V@8A, 400mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт70
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)10
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80

Техническая документация