CXDM4060N TR PBFREE, MOSFETs 40Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 6.0A 1.2W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005473889
- Артикул
- CXDM4060N TR PBFREE
- Бренд
- Central Semiconductor Corp
- Brand:
- Central Semiconductor
- Вес, г
- 0.13
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы CxxDM с режимом усиления для поверxностного монтажа Центральные полупроводниковые МОП-транзисторы CxxDM с режимом усиления для поверxностного монтажа предназначены для применения в высокоскоростныx импульсныx усилителяx и драйвераx. Эти МОП-транзисторы имеют очень низкое значение RDS (ON) и низкое пороговое напряжение.
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Вес, г | 0.13 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160mΩ@5A, 10V |