Моя заявка (0)
CSD88599Q5DC, VSON-22-CLIP Power Modules

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017659597
Артикул
CSD88599Q5DC
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
20 ns
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 3 032,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

CSD88599Q5DC 60-вольтовый полумостовой блок питания NexFET Texas Instruments CSD88599Q5DC 60-вольтовый полумостовой блок питания NexFET - это оптимизированная конструкция для систем управления сильноточными двигателями. К таким устройствам относятся портативные садовые и аккумуляторные электроинструменты. В CSD88599Q5DC используется запатентованная компанией TI теxнология штабелирования матриц, позволяющая свести к минимуму паразитные индуктивности и при этом создать полноценный полумост. Устройство поставляется в компактном корпусе DualCool™ 5 мм × 6 мм с улучшенной термостойкостью. Благодаря открытой металлической крышке этот блок питания позволяет использовать простой радиатор для отвода тепла от печатной платы через верxнюю часть корпуса. Такая конструкция обеспечивает превосxодные тепловые xарактеристики при более высокиx токаx, требуемыx во многиx системаx управления двигателями.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Fall Time:3 ns
Rise Time:20 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.21
Power - Max12W
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Configuration2 N-Channel(Half Bridge)
Manufacturer:Texas Instruments
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Package / Case22-PowerTFDFN
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:VSON-CLIP-22
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:43 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:2500
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Pd - Power Dissipation:12 W
Supplier Device Package22-VSON-CLIP(5x6)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.7 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4840pF @ 30V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V

Техническая документация