CSD88539ND, SOIC-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017659234
- Артикул
- CSD88539ND
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD88539ND
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 137,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TI N-канал 8-23-12
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD88539ND |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.73 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOIC-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |