CSD88537ND, MOSFET транзистор SOIC8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537371
- Артикул
- CSD88537ND
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD88537ND
- Fall Time:
- 19 ns
- Rise Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 154,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание MOSFET транзистор SOIC8
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD88537ND |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 4.54 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -1.3…-2.3 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |