CSD87588NT, MOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997351
- Артикул
- CSD87588NT
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- Synchronous Buck NexFET Power Stage
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD87588N
- Fall Time:
- 5 ns, 6.3 ns
Цена по запросу
(от 510 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Type: | Synchronous Buck NexFET Power Stage |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD87588N |
| Fall Time: | 5 ns, 6.3 ns |
| Rise Time: | 31.6 ns, 36.7 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 2 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 6W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Half Bridge) |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 5-LGA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PTAB-5 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC, 13.7 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 15A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Supplier Device Package | 5-PTAB(5x3.5) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.3 ns, 12.1 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.2 ns, 20.1 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S, 93 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.4 mOhms, 3.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 736pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |