CSD87502Q2, Транзистор MOSFET WDFN6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017563937
- Артикул
- CSD87502Q2
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD87502Q2
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В, 5 А, 2,3 Вт 32.4mOhm@10V,4A 2 В при 250 мкА, 2 N-канальныx МОП-транзистора WSON-6 (2x2), ROHS
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD87502Q2 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 2.3W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WSON-FET-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.2 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 4A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W |
| Supplier Device Package | 6-WSON(2x2) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 353pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 353pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32.4mΩ@10V, 4A |