CSD87350Q5D, МОП-Транзистор 30 В 40 А 5,9 мОм при 8 В, 20 А 12 Вт 2,1 В при 250мкА 2 N-канальных МОП-транзистора LSON-8(5x6)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600601
- Артикул
- CSD87350Q5D
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- Synchronous Buck MOSFET Driver
- Brand:
- Texas Instruments
- Fall Time:
- 2.3 ns, 4.7 ns
- Rise Time:
- 17 ns, 10 ns
Цена по запросу
(от 265,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 40 А, LSON-8; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 40 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,005 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: 2,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: 12 Вт; Тип корпуса транзистора: LSON; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (15 января 2019 г.)
Технические параметры
| Type: | Synchronous Buck MOSFET Driver |
| Brand: | Texas Instruments |
| Fall Time: | 2.3 ns, 4.7 ns |
| Rise Time: | 17 ns, 10 ns |
| Вес, г | 2.42 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package/Case: | LSON-CLIP-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Development Kit: | TPS53819AEVM-123 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.4 nC, 20 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | Dual N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 12 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 97 S, 157 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 750 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.9 мОм |