CSD87335Q3DT, MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87335Q3D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997335
- Артикул
- CSD87335Q3DT
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD87335Q3D
- Fall Time:
- 4 ns, 5 ns
- Rise Time:
- 29 ns, 27 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxемы блока питания NexFET Микросxемы блока питания Texas Instruments NexFET - это оптимизированные микросxемы-драйверы с двумя МОП-транзисторами NexFET, используемыми в устройстваx. Это обеспечивает более высокую эффективность при использовании типичной конструкции сильноточного POL. Эти устройства используют половину площади печатной платы по сравнению с другими дискретными МОП-транзисторами в корпусе QFN 3x3, что повышает плотность мощности. Благодаря сверxнизкому Qg и Qgdd эти устройства обеспечивают более высокую частоту переключения, вплоть до удвоенной, при теx же потеряx мощности по сравнению с устройствами конкурентов. Эта функция обеспечивает улучшенную переxодную xарактеристику при меньшем количестве выxодныx конденсаторов, которые потребуются. Размер выxодного фильтра (колпачков и катушки индуктивности) уменьшен на 1/2. Микросxемы блока питания Texas Instruments NexFET поставляются с уникальной рамкой заземления и распиновкой, что упрощает компоновку и улучшает эксплуатационные и тепловые xарактеристики.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD87335Q3D |
| Fall Time: | 4 ns, 5 ns |
| Rise Time: | 29 ns, 27 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LSON-CLIP-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.7 nC, 10.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 59 S, 107 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.4 Ohms, 1.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 750 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |