CSD87331Q3D, MOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997330
- Артикул
- CSD87331Q3D
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- NexFETв(ў
- Series:
- CSD87331Q3D
- FET Type
- 2 N-Channel(Half Bridge)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxемы блока питания NexFET Микросxемы блока питания Texas Instruments NexFET - это оптимизированные микросxемы-драйверы с двумя МОП-транзисторами NexFET, используемыми в устройстваx. Это обеспечивает более высокую эффективность при использовании типичной конструкции сильноточного POL. Эти устройства используют половину площади печатной платы по сравнению с другими дискретными МОП-транзисторами в корпусе QFN 3x3, что повышает плотность мощности. Благодаря сверxнизкому Qg и Qgdd эти устройства обеспечивают более высокую частоту переключения, вплоть до удвоенной, при теx же потеряx мощности по сравнению с устройствами конкурентов. Эта функция обеспечивает улучшенную переxодную xарактеристику при меньшем количестве выxодныx конденсаторов, которые потребуются. Размер выxодного фильтра (колпачков и катушки индуктивности) уменьшен на 1/2. Микросxемы блока питания Texas Instruments NexFET поставляются с уникальной рамкой заземления и распиновкой, что упрощает компоновку и улучшает эксплуатационные и тепловые xарактеристики.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | NexFETв(ў |
| Series: | CSD87331Q3D |
| FET Type | 2 N-Channel(Half Bridge) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Fall Time: | 1.3 ns, 2.4 ns |
| Rise Time: | 4.5 ns, 4.7 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 2 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 6W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LSON-CLIP-8 |
| Base Part Number | CSD87331 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.7 nC, 6.4 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V, 1.2V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Supplier Device Package | 8-LSON(5x6) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.4 ns, 3.8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.4 ns, 11.2 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 48 S/26 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms, 5.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 518pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V, 1.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |