CSD87313DMST, MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997328
- Артикул
- CSD87313DMST
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD87313DMS
- Fall Time:
- 13 ns, 13 ns
- Rise Time:
- 27 ns, 27 ns
Цена по запросу
(от 282,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD87313DMS |
| Fall Time: | 13 ns, 13 ns |
| Rise Time: | 27 ns, 27 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WSON-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns, 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns, 41 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 149 S, 149 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |