CSD86330Q3D, МОП-Транзистор 25 В 20 А 6 Вт 9,6 мОм при 8 В, 14 А 2,1 В при 250мкА 2 N-канальных (полумост) LSON-8(3,3x3,3) МОП-Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031103674
- Артикул
- CSD86330Q3D
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD86330Q3D
- Fall Time:
- 1.9 ns, 4.2 ns
- Rise Time:
- 7.5 ns, 6.3 ns
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы NexFET N-канальные силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET разработаны для минимизации потерь при преобразовании энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверxнизким Qg и Qd и низким тепловым сопротивлением. Эти устройства рассчитаны на лавинообразную работу и поставляются в пластиковой упаковке размером 5 x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD86330Q3D |
| Fall Time: | 1.9 ns, 4.2 ns |
| Rise Time: | 7.5 ns, 6.3 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.27 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Half Bridge |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LSON-CLIP-8 |
| Development Kit: | CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.2 nC, 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 6W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.2nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.9 ns, 5.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 920pF@12.5V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.5 ns, 15.8 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 52 S, 82 S |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 23pF@12.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V, 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8.8mΩ@5V, 15A |