CSD86311W1723, MOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997319
- Артикул
- CSD86311W1723
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Series
- CSD86311W1723
- Fall Time
- 2.9 ns
Цена по запросу
(от 120,71 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Dual N-Channel Nex FET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Series | CSD86311W1723 |
| Fall Time | 2.9 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 4.3 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.0041 |
| Длина | 2.32 mm |
| Серия | CSD86311W1723 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 1.5W |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1.74 mm |
| Configuration | Dual Common Source |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DSBGA-12 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.1 nC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 2.9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 2A, 8V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | 12-DSBGA |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13.2 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-12 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Forward Transconductance - Min | 6.4 S |
| Qg - заряд затвора | 3.1 nC |
| Время нарастания | 4.3 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 42 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 13.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.4 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.4 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |