CSD85301Q2T, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066982343
- Артикул
- CSD85301Q2T
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2 mm
- Серия
- CSD85301Q2
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | CSD85301Q2 |
| Channel Type | N |
| Package Type | WSON |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | WSON-FET-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 5.4 nC |
| Время нарастания | 26 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |