CSD85301Q2, 20V 5A 2.3W 27mOhm@4.5V,5A 1.2V@250uA 2 N-Channel WSON-6(2x2) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632363
- Артикул
- CSD85301Q2
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD85301Q2
- Fall Time:
- 15 ns, 15 ns
- Rise Time:
- 26 ns, 26 ns
Цена по запросу
(от 32,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD85301Q2 |
| Fall Time: | 15 ns, 15 ns |
| Rise Time: | 26 ns, 26 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WSON-FET-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns, 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns, 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S, 20 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |