CSD83325LT, MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004693802
- Артикул
- CSD83325LT
- Бренд
- Texas Instruments
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 52
- Длина
- 2.2 mm
- Серия
- CSD83325L
Цена по запросу
(от 136,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Моп-транзисторов 12 В 2,3 Вт для поверxностного монтажа 6-PicoStar
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 52 |
| Длина | 2.2 mm |
| Серия | CSD83325L |
| Power - Max | 2.3W |
| Channel Type | N |
| Package Type | Picostar YSE 6 |
| Высота | 0.2 mm |
| Ширина | 1.15 mm |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual)Common Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFBGA |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 589 ns |
| Особенности | - |
| Supplier Device Package | 6-PicoStar |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | BGA-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 52 A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Время нарастания | 353 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 711 ns |
| Типичное время задержки при включении | 205 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 950 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 36 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |