CSD83325L, PicoStar-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062515781
- Артикул
- CSD83325L
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Fall Time:
- 589 ns
- Rise Time:
- 353 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET 12 В, N-канальный силовой MOSFET NexFET, двойной LGA, 5,9 Мом, защита затвора от электростатического разряда 6-PICOSTAR от -55 до 150
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Fall Time: | 589 ns |
| Rise Time: | 353 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.9 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 205 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 711 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 36 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 750 mV |