CSD75208W1015T, MOSFETs 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997313
- Артикул
- CSD75208W1015T
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Series
- NexFETв„ў ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 149,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V PCH NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.5 mm |
| Серия | CSD75208W1015 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 750mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.625 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | CSD75208W1015 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Qg - заряд затвора | 1.9 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V, + 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms, 285 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |