CSD75208W1015, 20V 1.6A 750mW 68mOhm@4.5V,1A 1.1V@250uA 2 P-Channel DSBGA-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062517165
- Артикул
- CSD75208W1015
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- 2 P-Channel
- Brand:
- Texas Instruments
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, ДВОЙНОЙ P-CH, -20 В, -1,6 А, DSBGA-6; Полярность транзистора: Двуxканальный P-канал; Постоянный ток стока Id: -1,6 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление Rds(включено): 0,056 Ом; Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: -800 мВ; Рассеиваемая мощность Pd: 750 МВт; Тип корпуса транзистора: DSBGA; Количество контактов: 6; Максимальная рабочая температура: 85°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Без SVHC (27-Июнь-2018)
Технические параметры
| Type | 2 P-Channel |
| Brand: | Texas Instruments |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 共源 |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSBGA-6 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.5 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 750mW |
| Pd - Power Dissipation: | 750 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.5nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 410pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 68 mOhms, 108 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |