CSD75207W15, MOSFETs Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004693801
- Артикул
- CSD75207W15
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- CSD75207W15
Цена по запросу
(от 78,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | CSD75207W15 |
| Series: | CSD75207W15 |
| Packaging | Reel |
| Tradename | NexFET |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 8.6 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Common Source Channel |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DSBGA-9 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSBGA-9 |
| Transistor Type | 2 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2.9 nC |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.9 nC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 700 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -6 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -2.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 27 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 54 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -800 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |