CSD25485F5T, MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD25485F5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008531487
- Артикул
- CSD25485F5T
- Бренд
- Texas Instruments
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- -12V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 138,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 20 В 5,3 А (Ta) 1,4 Вт (Ta) для поверxностного монтажа 3-PICOSTAR
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | -12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 900mA, 8V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W(Ta) |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 533 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |