CSD25484F4T, MOSFETs 20V P-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD25484 A 595-CSD25484F4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997310
- Артикул
- CSD25484F4T
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- Type
- P Channel
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Brand:
- Texas Instruments
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | P Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | FemtoFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Series: | CSD25484F4 |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | -12V |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tradename: | FemtoFET |
| Вес, г | 0.01 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.09 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | CSD25484 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 500mA, 8V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.42nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.42nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 230pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 825 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Ta) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 94mΩ@8V, 500mA |