CSD25484F4, MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017605284
- Артикул
- CSD25484F4
- Бренд
- Texas Instruments
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD25484F4
- Fall Time:
- 8.5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD25484F4 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.09 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.42nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 230pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 825 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 94mΩ@500mA, 8V |