CSD25481F4T, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062254323
- Артикул
- CSD25481F4T
- Бренд
- Texas Instruments
- Type:
- FemtoFET MOSFET
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD25481F4
- Fall Time:
- 6.7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| Type: | FemtoFET MOSFET |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD25481F4 |
| Fall Time: | 6.7 ns |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Tradename: | FemtoFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package/Case: | PICOSTAR-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 913 pC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |