CSD25481F4, 20V 2.5A 500mW 1 P-Channel PicoStar-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062056975
- Артикул
- CSD25481F4
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD25481F4
- Fall Time:
- 6.7 ns
- Rise Time:
- 3.6 ns
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD25481F4 |
| Fall Time: | 6.7 ns |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 913 pC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |