CSD25404Q3, Trans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002219771
- Артикул
- CSD25404Q3
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Type
- P-Channel MOSFET
- Brand
- Texas Instruments
- Width
- 3.3 mm
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Минимальный заказ: 350 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
-20-вольтовый, P-канальный МОП-транзистор NexFET™, одиночный SON 3 мм x 3 мм, 6,5 Мом, 8-канальный MOSFET-ЗАЖИМ - от 55 до 150
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | P-Channel MOSFET |
| Brand | Texas Instruments |
| Width | 3.3 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3.3 mm |
| Series | CSD25404Q3 |
| Product | Power MOSFET |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Cut Tape |
| Rise Time | 8 ns |
| Tradename | NexFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VSON-Clip-8 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.8 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Pd - Power Dissipation | 96 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -60 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhm |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -0.9 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |