CSD25402Q3AT, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550514
- Артикул
- CSD25402Q3AT
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD25402Q3A
- Fall Time:
- 12 ns
- Rise Time:
- 7 ns
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор CSD25402Q3A NexFET™ Силовой МОП-транзистор Texas Instruments CSD25402Q3A NexFET™ -это 20-вольтовый p-канальный МОП-транзистор, разработанный для минимизации потерь при преобразовании мощности в приложенияx управления нагрузкой. Это устройство поставляется в корпусе SON размером 3,3 мм x 3,3 мм, который обеспечивает отличные тепловые xарактеристики для устройства такого размера. Типичные области применения преобразователи постоянного тока в постоянный, управление батареей, переключение нагрузки и защита батареи.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD25402Q3A |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SON-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 76 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 59 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.15 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |