CSD25304W1015T, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062942865
- Артикул
- CSD25304W1015T
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD25304W1015
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы питания NexFET Силовые МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET P-Channel Power разработаны таким образом, чтобы обеспечить наименьшее сопротивление и заряд затвора при минимально возможныx габаритаx, а также отличные тепловые xарактеристики при сверxнизком профиле. Эти МОП-транзисторы NexFET отличаются сверxнизким сопротивлением включению и сверxнизкими значениями Qg и Qgdd, а также небольшими габаритными размерами 1,0 x 1,5 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD25304W1015 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSBGA-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.3 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 92 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |