CSD25213W10, MOSFETs P-CH NexFET Pwr MOSF ET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062557616
- Артикул
- CSD25213W10
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- NexFETв„ў ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | -6V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | CSD25213W10 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
| Base Product Number | CSD25213 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 970 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
| Время нарастания | 520 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A (Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 1 us |
| Типичное время задержки при включении | 510 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |