CSD25211W1015, MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997299
- Артикул
- CSD25211W1015
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD25211W1015
- Fall Time:
- 14.2 ns
- Rise Time:
- 8.8 ns
Цена по запросу
(от 85,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TI P-канальные МОП-транзисторы - 8-23-12
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD25211W1015 |
| Fall Time: | 14.2 ns |
| Rise Time: | 8.8 ns |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DSBGA-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.4 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 44 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |