CSD25202W15, 20V 4A 500mW 26mOhm@2A,4.5V 1.05V@250uA 1 PIece P-Channel DSBGA-9 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044778735
- Артикул
- CSD25202W15
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1.5 mm
- Серия
- CSD25202W15
- Высота
- 0.62 mm
Цена по запросу
(от 70,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V P-channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.5 mm |
| Серия | CSD25202W15 |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 28 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-9 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 52 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 64 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.05 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 16 S |