CSD23381F4, 12V 2.3A 175mOhm@4.5V,500mA 500mW 1.2V@250uA P Channel PIcoStar-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017599008
- Артикул
- CSD23381F4
- Бренд
- Texas Instruments
- RoHS
- Details
- Brand
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series
- CSD23381F4
Цена по запросу
(от 12,62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Texas Instruments |
| Brand: | Texas Instruments |
| Series | CSD23381F4 |
| Series: | CSD23381F4 |
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 3.9 ns |
| Tradename | NexFET |
| Fall Time: | 7 ns |
| Rise Time: | 3.9 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Channel |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Package/Case: | PICOSTAR-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | QFN-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.14 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.14 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -8 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.14nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.5 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 236pF@6V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.3A |
| Id - Continuous Drain Current | -2.3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 2 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 175 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 175 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -12 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -950 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 175mΩ@4.5V, 500mA |