CSD23285F5T, MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD23285F5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997295
- Артикул
- CSD23285F5T
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- Type
- P Channel
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Series
- FemtoFETв„ў ->
Цена по запросу
(от 138,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 12V P-Channel FemtoFET МОП-транзистор 3-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | P Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Series | FemtoFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | -6V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 1.53 mm |
| Серия | CSD23285F5 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.35 mm |
| Ширина | 0.77 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | CSD23285 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 1A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 628pF@6V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.4A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Qg - заряд затвора | 4.2 nC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 628pF @ 6V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.4A (Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Коммерческое обозначение | PicoStar |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 950 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.9 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35mΩ@1A, 4.5V |