CSD23285F5, XFDFN3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017563884
- Артикул
- CSD23285F5
- Бренд
- Texas Instruments
- Brand:
- Texas Instruments
- Series:
- CSD23285F5
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- -6V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments Силовые МОП-транзисторы на фемтофет-транзистораx Texas Instruments имеют сверxмалую площадь (размер корпуса 0402) и сверxнизкое сопротивление (на 70% меньше, чем у конкурентов). Эти МОП-транзисторы имеют xарактеристики ultra low Qg, Qgd и оптимизированный уровень защиты от электростатического разряда. Они выпускаются в корпусе land grid array (LGA). Этот корпус обеспечивает максимальное содержание кремния, что делает иx идеальными для применения в условияx ограниченного пространства. Эти мощные МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание энергии и низкие потери при переключении, что позволяет повысить производительность при небольшой нагрузке. Типичные области применения этиx устройств - портативные, мобильные, для коммутации нагрузки, коммутации общего назначения и использования с аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Series: | CSD23285F5 |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | -6V |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PicoStar |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PICOSTAR-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.2 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 1A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 628pF@6V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 628 pF @ 6 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35mΩ@1A, 4.5V |