Моя заявка (0)
CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017550512
Артикул
CSD23280F3T
Бренд
Texas Instruments
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
-6V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 12 В 1,8 А (Ta) 500 МВт (Ta) для поверxностного монтажа 3-PICOSTAR

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)-6V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Channel TypeP
Package TypePICOSTAR
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs116mOhm @ 400mA, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)500mW(Ta)
Supplier Device Package3-PICOSTAR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.23 nC @ 4.5 V
Maximum Drain Source Voltage-12 V
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Maximum Continuous Drain Current2.9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds234 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A(Ta)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В