CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062866035
- Артикул
- CSD23203WT
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 1.5 mm
- Серия
- CSD23203W
- Высота
- 0.625 mm
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.5 mm |
| Серия | CSD23203W |
| Высота | 0.625 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 27 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-6 |
| Qg - заряд затвора | 4.9 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 53 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |