Моя заявка (0)

MOSFETs CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

MOSFETs CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062866014
Артикул
CSD23203W
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD23203W
Fall Time:
27 ns
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 70,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD23203W
Fall Time:27 ns
Rise Time:12 ns
Tradename:NexFET
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Package/Case:DSBGA-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:750 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:58 ns
Id - Continuous Drain Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:14 S
Rds On - Drain-Source Resistance:53 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация