CSD23202W10T, MOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004997292
- Артикул
- CSD23202W10T
- Бренд
- Texas Instruments
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Series
- NexFETв„ў ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 149,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 12V PCH NexFET
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | -6V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | CSD23202W10 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | P Channel |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 0.62 mm |
| Ширина | 1 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | CSD23202 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 21 ns |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
| Время нарастания | 4 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.044Ом |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Непрерывный Ток Стока | 2.2А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.2A (Ta) |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 600мВ |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 12В |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Стиль Корпуса Транзистора | DSBGA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 92 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.044Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |