Моя заявка (0)

CSD22206W, 8V 5A 5.7mOhm@2A,4.5V 1.7W 1.05V@250uA 1PCSPChannel DSBGA-9 MOSFETs ROHS

CSD22206W, 8V 5A 5.7mOhm@2A,4.5V 1.7W 1.05V@250uA 1PCSPChannel DSBGA-9 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062463831
Артикул
CSD22206W
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Series:
CSD22206W
Fall Time:
45 ns
Rise Time:
17 ns
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Мощные МОП-транзисторы Texas Instruments NexFET™ обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам добиться 90%-ной эффективности источника питания при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Series:CSD22206W
Fall Time:45 ns
Rise Time:17 ns
Tradename:NexFET
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DSBGA-9
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:14.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:1.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:37 ns
Typical Turn-Off Delay Time:118 ns
Id - Continuous Drain Current:5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.05 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000