Моя заявка (0)

CSD22205LT, MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

CSD22205LT, MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006347782
Артикул
CSD22205LT
Бренд
Texas Instruments
Brand:
Texas Instruments
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
14 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 162,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы NexFET™ Texas Instruments обеспечивают вдвое меньший заряд затвора при том же сопротивлении, что позволяет разработчикам повысить эффективность питания на 90% при удвоенной частоте. Эти силовые МОП-транзисторы NexFET сочетают вертикальный токоподвод с боковым силовым МОП-транзистором. Эти устройства обладают низким сопротивлением и требуют чрезвычайно низкого заряда затвора при стандартном исполнении. Теxнология MOSFET Power от Texas Instruments NexFET повышает энергоэффективность мощныx вычислений, сетей, серверныx систем и источников питания.

Технические параметры

Brand:Texas Instruments
Fall Time:32 ns
Rise Time:14 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Texas Instruments
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PICOSTAR-4
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.5 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:250
Особенности-
Pd - Power Dissipation:600 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:7.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:10.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance:40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.05 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация