CSD22205L, PicoStar-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017659602
- Артикул
- CSD22205L
- Бренд
- Texas Instruments
- Вес, г
- 0.12
- Серия:
- CSD22205L
- Структура
- MOSFET
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 74,39 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -8V, P channel NexFET power МОП-транзистор, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
| Вес, г | 0.12 |
| Серия: | CSD22205L |
| Структура | MOSFET |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 32 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Торговая марка: | Texas Instruments |
| Упаковка / блок: | PICOSTAR-4 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 8.5 nC |
| Время нарастания: | 14 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 800 mW |
| Id - непрерывный ток утечки: | 7.4 A |
| Коммерческое обозначение: | NexFET |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 6 V, + 6 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 8 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.05 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 10.4 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |